PCB
AMD設計較為優勝之處在於PCB的高度並不過份。
∇ 12+3+2+2+2=21你猜猜看?
∇ 三個8PIN頭下方有三粒對應的輸入電感, 再有一共九粒台系鈺邦固態貼片電容(5K 16V 180uF)作為21粒MOSFET的輸入電容。
∇ PCB背面用以固定散熱器的兩邊螺絲孔都有墊片保護PCB。21粒MOSFET大部份的輸出電容均集中在PCB背面, RED DEVIL使用日系貼片鋁電容SPCAP(470uF), 還有多顆MLCC。
∇ 21粒MOSFET都是同型號MONOLITHIC POWER SYSTEMS MP87997。下圖是右邊的VRM(共有12粒)。
∇ 下圖是左邊的VRM(共9粒)。
∇ 這是一粒ON SEMICONDUCTOR(已收購FAIRCHILD)的FAN23SV06PAMPX，具6A輸出的降壓器。
∇ 這是ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR的AOZ2261NQI-11，具8A輸出的降壓器。
∇ 這是另一粒ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR的AOZ2261NQI-11，具8A輸出的降壓器。
下面的是GIGADEVICE GD25LQ16E FLASH, BIOS晶片之一。
∇ 另一粒GIGADEVICE GD25LQ16E FLASH被放在PCB背面, BIOS晶片之一。
∇ 這是第三粒ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR的AOZ2261NQI-11，具8A輸出的降壓器。
∇ 這是DIODES AZ1117CH-5.0TRG1, 具1.8A輸出的LOW DROPOUT REGULATOR。
∇ 位於GPU核心下方的四粒VRAM有黑膠封邊加強固定, 減輕因為顯示卡橫裝加上散熱器太重導致PCB向下彎從而令該四粒VRAM晶片的底部銲點受損的程度。
∇ HYNIX GDDR6 H56G42AS8DX014。每粒容量2GB, 速率20Gbps, 工作電壓1.35V, 第二代HYNIX GDDR6(A DIE)。
RX7900XTX一共使用12粒H56G42AS8DX014 GDDR6, 共24GB容量。
∇ RX7900XTX核心, 一大六小的晶元。AMD首次在市售桌面級顯示卡上採用CHIPLET封裝設計。大的是RDNA3 GRAPHICS COMPUTE DIE(簡稱GCD), 採用TSMC 5NM製程生產。小的是RDNA3 MEMORY CACHE DIE(簡稱MCD), 採用TSMC更為成熟的6NM製程生產。MCD的功能在於與GDDR6晶片配合使用, 亦負責AMD RNDA3的第2代INFINITY CACHE。
∇ PCB板號P38G V10。CHIPLET四周有多粒細小的MLCC。
∇ HOLTEK HT50F3200J微處理器晶片, 處理ARGB燈效。
∇ RX7900XTX RED DEVIL使用三粒MONOLITHIC POWER SYSTEMS的PWM晶片, 分別是一粒MP2857和兩粒MP2856, 以控制12+3+2+2+2共五路主要電壓。
在RDNA2上主要的電壓有四路, 分別是GFX / VMEM / VDDCI / SOC。GFX亦即所謂的VCORE核心電壓, VMEM即GDDR6電壓, VDDCI針對核心內部的記憶體控制器, SOC則是負責核心內部其餘的部份。
∇ 在RDNA3上新增的第五路電壓是USR, 據說連AIB都不知道這路電壓在做什麼。在現時最新的HWINFO64 V7.34正式版上, 能夠找到四路電壓和五個POWER, USR的電壓值無法被讀出。關於各路電壓值在負載時的高低可到測試一文中查看關於FURMARK的部份。
PS. VDDIO就是GDDR6的工作電壓(負載時1.35V), 而VDDCI負載時一般不會超過1V。
∇ YUJIHW猜測RED DEVIL RX7900XTX應該擁有兩粒VDDCI, 同時認為RX7900XTX公版同樣有兩粒VDDCI。兩粒VMEM的位置明顯與上代不同。現時在RDNA3上的兩粒VMEM MOSFET與十二粒GDDR6的平均距離更短, AMD終於跟上NVIDIA的設計。
在RNDA2上, SOC MOSFET一般在左邊最底的位置(一般有兩粒)。但由於在HWINFO64內所顯示的RDNA3 RX7900XTX的SOC功耗在高負載時達~50W而USR只有20W不到, 所以YUJIHW猜測RDNA3的SOC被增加至三粒。剩下的便是USR, 更取代了以往在左下角的SOC的位置。
VDDCI在絕大部份RDNA2 RX6900XT和RX6950XT上都只設有一粒, 當中只有ASROCK OCFORMULA有使用兩粒VDDCI。
